日前，蘇州鍇威特半導體股份有限公司（以下簡稱“鍇威特”）IPO提交注冊，擬登陸上交所科創板。據了解，其主要經營的產品包括功率器件和功率IC，兩者均屬于功率半導體。

功率半導體的應用十分廣闊，涉及電路控制和電能轉換的產品均離不開功 率半導體的使用。根據 Omdia 的數據及預測，2021 年全球功率半導體市場規模 為 462 億美元（主要包括功率器件、功率 IC 和功率模組），預計 2024 年將達到 522 億美元。

同時，中國的功率半導體行業在國家相關政策支持、國產化替代加速及資本推動 等因素合力下，取得了長足的進步與發展。根據 Omdia 數據及預測，2021 年中 國功率半導體市場規模為 182 億美元，預計 2024 年將達 206 億美元，中國作為 全球最大的功率半導體市場，發展前景十分廣闊。

功率半導體行業屬于技術密集型行業。半導體行業具有產品更新換代及技術迭代速度較快的特點，公司需要持續研發投入才能在市場中保持競爭優勢。自成立以來，鍇威特積極響應國家戰略部署，堅持“自主創芯，助力核心芯片國產化”的發展定位，持續加大對產品的研發投入，公司2019-2021年研發投入4,045.81萬元，年復合增長率達到56.41％；在注重基礎研究的同時，深度拓展前沿技術的應用，推動產品的技術高效升級，力求實現產品和技術的自主可控。

在硅基器件方面，鍇威特已擁有“多次外延的超級結MOSFET設計平臺”“屏蔽柵溝槽MOSFET設計平臺”等技術儲備。

在第三代半導體器件方面，鍇威特已在SiC功率器件的器件結構、關鍵工藝等方面積累了較多的設計研發經驗，掌握了“短溝道碳化硅MOSFET器件系列產品溝道控制及其制造技術”等核心技術，形成了“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”等專利儲備，相關產品處于試制階段。

在功率IC方面，鍇威特基于晶圓代工廠0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD等工藝自主搭建了設計平臺，已擁有多項IP核的設計與驗證和相關積累，已完成針對第三代半導體器件的配套驅動IC樣品試制。

鍇威特針對光電結合的功率開關，基于SOI工藝平臺已完成了8V、12V、16V、20V四個電壓段的光電轉換芯片的研制并同公司的MOSFET合封來實現固態繼電器，相關產品已完成試制階段認證；公司還通過二次集成已實現了針對不同應用的電機驅動IPM解決方案，已完成500V、600V單相、三相驅動的IPM模塊的試制。

值得一提的是，鍇威特是國家高新技術企業、國家級專精特新“小巨人”企業、國家鼓勵的重點集成電路設計企業、江蘇省“科技小巨人企業”“江蘇省潛在獨角獸企業”、江蘇省半導體行業協會理事單位，公司研發中心更是獲“江蘇省高可靠性功率器件工程技術研究中心”認證。公司已積累了10項核心技術，獲得60項授權專利（其中發明專利18項，實用新型專利42項）和36項集成電路布圖設計專有權。

未來，鍇威特表示將在功率器件和模塊封裝可靠性、功率IC產品多品類研發、SiC高溫封裝應用、SiC MOSFET光繼電器以及數字電源等產品進行持續深入研究，加大產品在高可靠及工業控制領域的應用，拓展更多的上述領域客戶，并進一步推動第三代半導體功率器件產品的加大量產與技術升級。